Anvendelse av infrarødt mikroskop i mikroenheter i elektronisk industri
Applikasjonsretning: funksjonen til infrarødt mikroskop i temperaturmålingen av mikrohalvlederenheter.
For det andre, bakgrunnen:
Med utviklingen av nanoteknologi har dens top-down miniatyrisering blitt mer og mer brukt innen halvlederteknologi. Vi pleide å kalle IC-teknologi "mikroelektronikk"-teknologi, fordi størrelsen på transistorene er på mikron (10-6 meter) nivå. Imidlertid utvikler halvlederteknologien seg veldig raskt, og den vil utvikle seg med én generasjon hvert annet år, og størrelsen vil reduseres til halvparten av den opprinnelige størrelsen. Dette er den berømte Moores lov. For omtrent 15 år siden begynte halvledere å gå inn i æraen med sub-mikron, det vil si mindre enn mikron, og da var det en epoke med dyp sub-mikron og mye mindre enn mikron. Ved 2001 var størrelsen på transistoren enda mindre enn 0,1 mikron, det vil si mindre enn 100 nanometer. Derfor er det nanoelektronikkens æra, og det meste av fremtidens IC vil være laget av nanoteknologi.
For det tredje, de tekniske kravene:
For tiden er den viktigste sviktformen for elektroniske enheter termisk svikt. I følge statistikk er 55 prosent av feil på elektroniske enheter forårsaket av at temperaturen overskrider den angitte verdien. Med økningen i temperaturen øker feilfrekvensen til elektroniske enheter eksponentielt. Generelt sett er driftssikkerheten til elektroniske komponenter ekstremt følsom for temperatur, og påliteligheten vil reduseres med 5 prosent for hver 1 grads økning av enhetstemperaturen på nivået 70-80 grader. Derfor er det nødvendig å oppdage temperaturen på enheten raskt og pålitelig. Ettersom størrelsen på halvlederenheter blir mindre og mindre, stilles det høyere krav til temperaturoppløsningen og romoppløsningen til deteksjonsutstyr.
For det fjerde, skyt varmekartet på stedet (sted: en velkjent vitenskapelig forskningsinstituttmodell: INNOMETE SI330)
