Energilagring fra utgangskondensatorer i bytte av strømforsyninger
På spennings-ladningsforholdsgrafen er kapasitansen vist som en diagonal linje, og energien som er lagret i kapasitansen er området under linjen. Selv om utgangskapasitansen til strøm-MOSFET-en er ikke-lineær og varierer avhengig av dreneringsspenningen, er energien som er lagret i utgangskapasitansen fortsatt området under den ikke-lineære kapasitanslinjen. Derfor, hvis vi kan finne en rett linje som gir samme areal som arealet i den varierende utgangskapasitanskurven vist i fig. 1, er linjens helning nøyaktig den ekvivalente utgangskapasitansen som produserer samme mengde lagret energi.
For noen eldre MOSFET-er med plan teknologi, kan designeren være i stand til å finne den ekvivalente utgangskapasitansen ved å bruke en kurvetilpasning basert på utgangskapasitansverdiene i dataarket ved den vanlig spesifiserte drain-source-spenningen på 25V.
Dermed kan energilagringen oppnås fra en enkel integralligning.
Til slutt er den effektive utgangskapasitansen
målt verdi av utgangskapasitansen og den tilpassede kurven utledet fra Eq. (3). Den fungerer bra i forhold til den gamle MOSFET-teknologien i fig. 2(a). Imidlertid, for MOSFET-er som bruker nyere teknologier som superjunction-teknologi, der utgangskapasitansen har mer ikke-lineære egenskaper, er en enkel eksponentiell kurvetilpasning noen ganger ikke god nok. Figur 2(b) viser den målte utgangskapasitansen til en *ny teknologi MOSFET og den tilpassede kurven ved bruk av ligning (3). For den ekvivalente utgangskapasitansverdien fører gapet mellom de to i høyspenningsområdet til en enorm forskjell, siden spenningen multipliseres for kapasitansen i integralligningen. Estimatet i figur 2(b) vil resultere i en mye større ekvivalent kapasitans, som kan villede den opprinnelige utformingen av omformeren.
Estimert utgangskapasitans, (a) gammel MOSFET, (b) ny MOSFET
Hvis utgangskapasitansverdien varierer basert på drain-source-spenningen, kan energien som er lagret i utgangskapasitansen finnes ved å bruke ligning (4). Selv om kapasitanskurven er vist i dataarket, er det ikke lett å lese kapasitansverdien fra grafen**. Derfor, basert på drain-source spenningen, er den lagrede energien i utgangskapasitansen gitt av grafen i *New Power MOSFET Data Sheet. Ved å bruke kurven vist i figur 3, kan ekvivalent utgangskapasitans ved ønsket likestrøm (DC) bussspenning oppnås ved å bruke ligning (5).
