Hvordan bedømme kvaliteten på komponentene med et multimeter
1. Deteksjon av vanlige dioder
Mål med en MF47 -multimeter, koble de røde og svarte sonder til begge ender av dioden, les lesingen og bytter deretter sonder for måling. Basert på resultatene fra to målinger, er den fremre motstandsverdien av germanium-dioder med lav effekt vanligvis 300-500 ω, mens den for silisiumdioder er omtrent 1K Ω eller høyere. Den omvendte motstanden til germaniumrøret er flere titalls kilohm, og den omvendte motstanden til silisiumrøret er over 500k Ω (verdien av høykraftdiode er mye mindre). En god diode har en lav fremover motstand og en høy omvendt motstand, og jo større forskjell i fremover og bakover motstand, jo bedre. Hvis den målte frem og bakover motstand er veldig liten og nær null, indikerer det at dioden er kortslått internt; Hvis fremover og bakover motstand er veldig høy eller har en tendens til uendelig, indikerer det at det er en åpen krets inne i røret. I begge tilfeller må dioden bli skrotet.
På veiesting: Testing av fremover og bakover motstanden til dioden PN -krysset gjør det lettere å bestemme om dioden opplever en kortslutning eller en åpen krets.
2. PN Junction -deteksjon
Still den digitale multimeteret til diodemodus og mål PN -krysset med sonden. Hvis det fører i fremoverretning, er det viste tallet det fremre spenningsfallet til PN -krysset. Først må du bestemme samler- og emitterelektroder; Mål den fremre spenningsfallet til to PN -kryss med en sonde, der emitteren har et høyere spenningsfall og samleren har et lavere spenningsfall. Når du tester to kryss, hvis den røde sonden er koblet til den vanlige polen, er den testede transistoren av NPN -type, og den røde sonden er koblet til basen B; Hvis den svarte sonden er koblet til den vanlige terminalen, er den testede transistoren av PNP -type, og denne terminalen er basen b. Etter at transistoren er skadet, er det to situasjoner for PN -krysset: kortslutning og åpen krets.
I kretstesting: Ved krets testing av en transistor oppnås faktisk ved å teste fremover og bakover motstanden til PN -krysset for å bestemme om transistoren er skadet. Grenmotstanden er større enn den fremre motstanden til PN -krysset. Normalt bør det være en betydelig forskjell i den målte fremover og bakover motstand, ellers vil PN -krysset bli skadet. Når grenmotstanden er mindre enn den fremre motstanden til PN -krysset, bør grenen kobles fra, ellers kan ikke kvaliteten på transistoren bestemmes.
3. trefase likeretterbro moduldeteksjon
Å ta semikron -likeretterbro -modulen som et eksempel, som vist i den vedlagte figuren. Sett den digitale multimeteret til diodetestmodus, koble den svarte sonden til COM og den røde sonden til V ω, og bruk de røde og svarte sonder for å måle fremover og bakover diodeegenskaper mellom fasene 3, 4 og 5 og polene 2 og 1, for å sjekke og bestemme om den rettede broen er intakt. Jo større forskjell i de målte positive og negative egenskapene, jo bedre; Hvis de fremover og bakre retningene er null, indikerer det at den oppdagede fasen er blitt brutt ned og kortslått; Hvis både fremover og bakre retninger er uendelige, indikerer det at den oppdagede fasen er koblet fra. Hvis en fase av likeretterbro -modulen er skadet, bør den byttes ut.
4. Inverter IGBT -moduldeteksjon
Still den digitale multimeteret til diodetestmodus og test fremover og bakover diodeegenskaper mellom IGBT -modulene C1. E1 og C2. E2, så vel som mellom port G og E1, E2, for å bestemme om IGBT -modulen er intakt.
