Overstrømsbeskyttelse for bytte av strømforsyninger
Beskyttelse av DC-svitsjingsstrømforsyning
Basert på egenskapene til DC-svitsjingsstrømforsyningen og de faktiske elektriske forholdene, for å få DC-svitsjingsstrømforsyningen til å fungere pålitelig i det tøffe miljøet og plutselige feilen, designer dette papiret en rekke beskyttelseskretser i henhold til forskjellige situasjoner.
Overstrømsbeskyttelseskrets
I DC-svitsjingsstrømforsyningskretsen, for å beskytte justeringsrøret i kretskortslutningen, øker strømmen for ikke å brennes. Den grunnleggende metoden er at når utgangsstrømmen overstiger en viss verdi, er justeringsrøret i omvendt forspenningstilstand, og dermed avskjærer kretsstrømmen automatisk. Som vist i figur 1, består overstrømsbeskyttelseskretsen av transistor BG2 og spenningsdelermotstander R4 og R5. Circuit normal drift, gjennom trykket på R4 og R5, noe som gjør basen av BG2 potensial enn emitterpotensialet er høy, emitter-krysset for å motstå omvendt spenning. Så BG2 er i avskjæringstilstand (tilsvarer åpen krets), ingen effekt på spenningsregulatorkretsen. Når kretsen er kortsluttet, er utgangsspenningen null, emitteren til BG2 er ekvivalent med jord, så er BG2 mettet ledningstilstand (tilsvarer en kortslutning), slik at regulatoren BG1 base og emitter er nær kortslutning. krets, og er i avskjæringstilstand, kutte av kretsstrømmen, for å oppnå formålet med beskyttelse.
Overspenningsbeskyttelseskrets
Overspenningsbeskyttelsen til bryterregulatoren i DC-svitsjingsstrømforsyningen inkluderer inngangsoverspenningsbeskyttelse og utgangsoverspenningsbeskyttelse. Hvis bryterregulatoren som brukes av den uregulerte likestrømforsyningen (som batterier og likerettere) hvis spenningen er for høy, vil føre til at bryterregulatoren ikke kan fungere ordentlig, eller til og med skade de interne komponentene, så bytte strømforsyning er nødvendig for å bruk inngangsoverspenningsbeskyttelseskretsen. Figur 3 for transistoren og relébeskyttelseskretsen, i kretsen, når inngangs DC-strømforsyningsspenningen er høyere enn sammenbruddsspenningen til regulatordiodeverdien, regulatorsammenbruddet, er det en strømflyt gjennom motstanden R, slik at transistor T ledende, reléaksjonen, normalt lukket kontakt frakobling, kuttet av inngangen. Inngangseffektpolaritetsbeskyttelseskrets kan kombineres med inngangsoverspenningsbeskyttelse for å danne en polaritetsbeskyttelsesidentifikasjon og overspenningsbeskyttelseskrets.
