Bytte strømforsyninger trekker energilagring fra utgangskondensatorer
På spenningsladningsforholdsdiagrammet er kondensatoren representert av en diagonal linje, og energien som er lagret i kondensatoren er området under denne linjen. Selv om utgangskapasitansen til strøm-MOSFET-er er ikke-lineær og varierer i henhold til endringer i drain-kildespenningen, er energilagringen i utgangskapasitansen fortsatt området som den ikke-lineære kapasitansen inneholder offline. Derfor, hvis vi kan finne en rett linje som gir samme areal som utgangskapasitanskurven vist i figur 1, så er helningen på linjen nøyaktig den ekvivalente utgangskapasitansen som produserer den samme energilagringen.
For noen gammel-MoSFET-er med planteknologi kan designere bruke kurvetilpasning for å finne den ekvivalente utgangskapasitansen basert på utgangskapasitansverdiene i datatabellen ved den typisk spesifiserte 25V dreneringskildespenningen.
Figur 2 viser de målte verdiene for utgangskapasitansen og den tilpassede kurven hentet fra formel (3). Sammenlignet med den gammeldagse -MOSFET-teknologien vist i figur 2 (a), er ytelsen god. For MOSFET-er med mer ikke-lineære utgangskapasitansegenskaper ved bruk av nye teknologier som super junction-teknologi, er enkel eksponentiell kurvetilpasning noen ganger ikke god nok. Figur 2 (b) viser den målte utgangskapasitansen til den nye teknologien MOSFET og den tilpassede kurven oppnådd ved bruk av formel (3). For den ekvivalente utgangskapasitansverdien kan gapet mellom de to i høyspenningsområdet forårsake en enorm forskjell, fordi i integrasjonsformelen multipliseres spenning med kapasitans. Estimatet i figur 2 (b) vil resultere i en mye større ekvivalent kapasitans, som kan villede den opprinnelige utformingen av omformeren.
Hvis utgangskapasitansverdien varierer i henhold til drain source-spenningen, kan energilagringen i utgangskapasitansen beregnes ved hjelp av formel (4). Selv om kapasitanskurven vises i datatabellen, er det ikke lett å lese kapasitansverdien fra diagrammet. Derfor, basert på drain source-spenningen, er energilagringen i utgangskondensatoren gitt av diagrammet i den nye MOSFET-datatabellen. Ved å bruke kurven vist i figur 3 og formel (5), kan ekvivalent utgangskapasitans ved ønsket likestrøm (DC) bussspenning oppnås.
