Hva er faktorene som påvirker oppløsningen av transmisjonselektronmikroskopi?
A. Innfallende elektronstrålepunktdiameter: det er grensen for oppløsningsevnen til et skanningselektronmikroskop. Generelt kan minimum strålepunktdiameteren til den varme katodeelektronkanonen reduseres til 6 nm, og feltemisjonselektronkanonen kan gjøre stråleflekkens diameter mindre enn 3 nm.
B. Ekspansjonseffekt av den innfallende elektronstrålen i prøven: diffusjonsgraden avhenger av energien til de innfallende stråleelektronene og prøvens atomnummer. Jo høyere energien til den innfallende strålen er, jo mindre er prøvens atomnummer, jo større volumet er elektronstrålen, og området der signalet genereres øker med diffusjonen av elektronstrålen, og reduserer dermed oppløsningen.
C. Bildemetode og modulasjonssignal som brukes: når sekundærelektronet brukes som modulasjonssignal, på grunn av dets lave energi (mindre enn 50 eV) og korte gjennomsnittlige frie bane (ca. 10-100 nm), er det kun overflatelaget av 50-100 nm De sekundære elektronene i dybdeområdet kan bare unnslippe fra prøveoverflaten, og antallet spredning som forekommer er svært begrenset, og utvider seg i utgangspunktet ikke sideveis. Derfor er oppløsningen til det sekundære elektronbildet omtrent lik diameteren til stråleflekken. Når de tilbakespredte elektronene brukes som modulasjonssignal, er energien til de tilbakespredte elektronene relativt høy og penetreringsevnen sterk, slik at de kan rømme fra et dypere område i prøven (ca. 30 prosent av den effektive dybden). I dette dybdeområdet har de innfallende elektronene en ganske bred lateral ekspansjon, så oppløsningen til det tilbakespredte elektronbildet er lavere enn det sekundære elektronbildet, vanligvis rundt 500-2000nm. Hvis andre driftsmoduser som absorpsjon av elektroner, røntgenstråler, katodofluorescens, stråleindusert konduktans eller potensial brukes som modulasjonssignaler, siden signalene kommer fra hele elektronstrålespredningsområdet, er oppløsningen til de oppnådde skannebildene relativt lav , vanligvis ved l 000 nm eller over l0000nm.
