Metoden for halvledermåling med et digitalt multimeter
1, diode
Den åpne kretsspenningen til dioden på det digitale multimeteret er omtrent 2,8V, med den røde sonden koblet til den positive og den svarte sonden koblet til den negative. Ved måling er den tilførte strømmen ca. 1mA, og den viste verdien er en omtrentlig verdi av diodens foroverspenningsfall, målt i mV eller V. Foroverledningsspenningsfallet til en silisiumdiode er ca. 0. 3-0.8V. Foroverledningsspenningsfallet til germaniumdioden er omtrent 0.1-0.3V. Og dioder med høyere effekt har et mindre spenningsfall fremover. Hvis den målte verdien er mindre enn 0.1V, indikerer det at dioden er ødelagt og at både forover- og bakoverretninger leder. Hvis både forover- og bakoverretningen er åpne, indikerer det at PN-delen av dioden er åpen. For lysemitterende dioder, ved måling i foroverretningen, sender dioden ut lys og spenningsfallet til røret er ca. 1,7V.
2, Transistor
Transistoren har to PN-seksjoner, emitterseksjonen (be) og kollektorseksjonen (bc), som kan måles ved hjelp av metoden for å måle dioder. Ved faktisk måling skal spenningsfallet forover og bakover måles mellom hver to pinner, totalt 6 ganger. Blant dem viser 4 ganger en åpen krets, og bare 2 ganger viser spenningsfallet. Ellers er transistoren defekt eller en spesiell transistor (som en resistiv transistor, Darlington-transistor, etc., som kan skilles fra en konvensjonell transistor etter modell). I to målinger med numeriske verdier, hvis den svarte eller røde sonden er koblet til samme pol, så er den polen basispolen. Den minste måleverdien er kollektornoden, og den større måleverdien er emitternoden. Fordi grunnpolen er bestemt, kan den tilsvarende oppsamleren og emitteren bestemmes. Samtidig kan det fastslås at: hvis den svarte sonden er koblet til samme pol, er transistoren PNP-type; hvis den røde sonden er koblet til samme pol, er transistoren NPN-type; Silisiumrør har et trykkfall på rundt 0.6V, mens germaniumrør har et trykkfall på rundt 0.2V.
3, tyristor:
Anoden, katoden og kontrollelektroden til tyristoren er åpne kretser, som kan brukes til å bestemme anodepinnene og bestemme om tyristoren er brutt ned. Avstanden mellom tyristorkontrollelektroden og katoden er også en PN-seksjon, men det er en beskyttende motstand mellom høyeffekttyristorkontrollelektroden og katoden, og den viste verdien under måling er spenningsfallet på motstanden.
4, Optokobler
På den ene siden av koblingen er det en lysdiode, med et spenningsfall på ca 1V under måling. På den andre siden er det en transistor, hvorav noen bare leder ut c og e, og målingen er kuttet både fremover og bakover. Hvis alle tre pinnene er ført ut, er målekarakteristikkene de samme som for den øvre transistoren (for det meste NPN-transistoren). Når du bruker et multimeter for å få dioden til å lede i foroverretningen, bruk et annet multimeter for å måle ledningsspenningsfallet til transistoren c til e, som er omtrent 0.15V; Koble fra multimeteret koblet til dioden, og transistoren c kutter av e, noe som indikerer at optokobleren er god
