Anvendelser av infrarøde mikroskoper i mikroenheter i elektronikkindustrien
Bakgrunn Introduksjon
Med utviklingen av nanoteknologi har dens top-down miniatyriseringsmetode i økende grad blitt brukt innen halvlederteknologi. IC-teknologi ble tidligere referert til som "mikroelektronikk"-teknologi fordi størrelsen på transistorene var på mikrometerskalaen (10⁻⁶ meter).
Likevel går halvlederteknologien raskt videre, med en ny generasjon som dukker opp hvert annet år og funksjonsstørrelser krymper med det halve. Dette er den velkjente Moores lov. For omtrent 15 år siden gikk halvlederindustrien inn i submikron-æraen, hvor dimensjonene er mindre enn én mikrometer, etterfulgt av den dype submikron-æraen med funksjonsstørrelser langt under én mikrometer. I 2001 hadde transistordimensjonene til og med falt under 0,1 mikrometer, nemlig mindre enn 100 nanometer. Vi er derfor inne i nanoelektronikkens æra, og de fleste fremtidige integrerte kretser (ICer) vil bli produsert ved hjelp av nanoteknologi.
Tekniske krav
For tiden er den primære feilmodusen til elektroniske komponenter termisk feil. Statistikk viser at 55 % av feilene på elektroniske enheter er forårsaket av temperaturer som overskrider spesifiserte grenser. Når temperaturen stiger, øker feilraten til elektroniske enheter eksponentielt. Generelt er driftssikkerheten til elektroniske komponenter ekstremt følsom for temperatur. Når enhetens temperatur er innenfor området 70–80 grader, reduserer hver 1 grads stigning påliteligheten med 5 %. Derfor kreves rask og pålitelig temperaturmåling av komponenter. Ettersom halvlederenheter fortsetter å krympe i størrelse, stilles det høyere krav til temperaturoppløsningen og romoppløsningen til inspeksjonsutstyr.
