Metoder for å teste kvaliteten på elektroniske komponenter ved hjelp av et multimeter
Under vedlikeholdsprosessen bør et multimeter brukes for å kontrollere kvaliteten på elektroniske komponenter basert på feilsituasjonen. Hvis målemetoden er feil, kan det føre til feilvurderinger, som vil føre til vanskeligheter med vedlikeholdsarbeid og til og med unødvendige økonomiske tap. Målemetodene er delt inn i to typer: komponenttesting og kretskort i kretstesting. På veitest: Koble fra strømforsyningen til frekvensomformeren og mål komponentene på kretskortet uten å demontere dem. For komponenthavari, kortslutning og åpen kretsfeil kan denne deteksjonsmetoden enkelt og raskt lokalisere skadede komponenter. Men virkningen av de målte komponentene på kretskortet og deres parallelle komponenter på måleresultatene bør også vurderes for å unngå feilvurderinger. Her er metodene for å bedømme kvaliteten på elektroniske komponenter:
1. Deteksjon av vanlige dioder
Mål med et MF47-multimeter, koble de røde og svarte probene til begge ender av dioden, les avlesningen og bytt deretter probene for måling. Basert på resultatene av to målinger, er motstandsverdien fremover for laveffekts germaniumdioder vanligvis 300-500 Ω, mens den for silisiumdioder er omtrent 1k Ω eller større. Den omvendte motstanden til germaniumrøret er flere titalls kiloohm, og den motsatte motstanden til silisiumrøret er over 500k Ω (verdien av høyeffektsdiode er mye mindre). En god diode har lav forovermotstand og høy bakovermotstand, og jo større forskjellen er i forover- og bakovermotstand, jo bedre. Hvis den målte motstanden forover og bakover er veldig liten og nær null, indikerer det at dioden er kortsluttet internt; Hvis motstanden forover og bakover er veldig høy eller har en tendens til uendelig, indikerer det at det er en åpen krets inne i røret. I begge tilfeller må dioden kasseres.
På veitesting: Testing av motstanden forover og bakover til diode-pn-krysset gjør det lettere å avgjøre om dioden opplever en kortslutning eller en åpen krets.
2. Pn-kryssdeteksjon
Sett det digitale multimeteret til diodemodus og mål pn-krysset med sonden. Hvis den leder i foroverretningen, er det viste tallet spenningsfallet forover til pn-krysset. Bestem først kollektor- og emitterelektrodene; Mål foroverspenningsfallet til to pn-overganger med en sonde. Emitteren har det høyeste spenningsfallet, mens kollektoren har det laveste spenningsfallet. Når du tester de to kryssene, hvis den røde sonden er koblet til den felles elektroden, er den testede transistoren av npn-type, og den røde sonden er koblet til basen b. Hvis den svarte sonden er koblet til den felles elektroden, er den testede transistoren av pnp-type, og denne elektroden er basen b. Etter at transistoren er skadet, kan pn-krysset ha to situasjoner: sammenbruddskortslutning og åpen krets.
I kretstesting: I kretstesting av en transistor oppnås faktisk ved å teste motstanden forover og bakover til pn-krysset for å avgjøre om transistoren er skadet. Grenmotstanden er større enn forovermotstanden til pn-krysset. Normalt skal det være en betydelig forskjell i målt forover- og bakovermotstand, ellers vil pn-krysset bli skadet. Når grenmotstanden er mindre enn forovermotstanden til pn-krysset, bør grenen kobles fra, ellers kan ikke kvaliteten på transistoren bestemmes.
3. Trefase likeretterbromoduldeteksjon
Ta Semikron likeretterbromodul som et eksempel, som vist i vedlagte figur. Sett det digitale multimeteret til diodetestmodus, koble den svarte sonden til com og den røde sonden til v ω, og bruk de røde og svarte sondene til å måle forover- og reversdiodekarakteristikkene mellom henholdsvis fase 3, 4 og 5 og pol 2 og 1 for å sjekke og bestemme om likeretterbroen er intakt. Jo større forskjellen er i de målte positive og negative egenskapene, jo bedre; Hvis retningen forover og bakover er null, indikerer det at den oppdagede fasen har blitt brutt ned og kortsluttet; Hvis både forover- og bakoverretninger er uendelige, indikerer det at den oppdagede fasen er frakoblet. Hvis en fase av likeretterbromodulen er skadet, bør den skiftes ut.
4. Inverter IGBT-moduldeteksjon
Sett det digitale multimeteret til diodetestmodus og test forover- og reversdiodekarakteristikkene mellom IGBT-modulene c1. e1 og c2. e2, samt mellom gate g og e1, e2, for å bestemme om IGBT-modulen er intakt.
