Bruken av mikroskoper i LED, en strategisk fremvoksende industri
LED (Light Emitting Diode, forkortet som LED) er forkortelsen for Light Emitting Diode. Siden andre halvdel av 2009 har LED-markedet opplevd et stort sprang. Som en fremvoksende industri med høy vekst, forventes det at omfanget av LED-industrien innen 2015 vil overstige 500 milliarder yuan, inkludert 160 milliarder yuan for generell belysningsindustri, 120 milliarder yuan for LCD-TV-bakgrunnsbelysningsindustrien i-størrelse, 20 milliarder yuan for bilbelysningsindustrien, 0 milliarder yuan, 16 milliarder yuan, 16 milliarder yuan. Yuan for landskap, display og andre næringer.
LED-industrikjeden kan grovt deles inn i tre deler, nemlig oppstrøms substratvekst, epitaksial wafer-produksjon, midstream-chip-emballasje og nedstrøms applikasjonsprodukter. I hele industrikjeden er kjernedelene substratvekst og epitaksial wafer-produksjon, som har relativt høyt teknologisk innhold og står for nesten 70 % av industriens produksjonsverdi og profitt.
Den nåværende utviklingstrenden til LED-industrien er påvirket av både internasjonale og innenlandske markeder. Drevet av National Semiconductor Lighting Project, har Kinas LED-industri i utgangspunktet dannet en relativt komplett industrikjede, inkludert substratmaterialer oppstrøms for LED, produksjon av LED-epitaksiale wafere, klargjøring av LED-brikker, pakking av LED-brikker og bruk av LED-produkter.
Som kjent har halvlederlysemitterende-lysdioder fordeler som høy konverteringseffektivitet og lang levetid, og regnes som neste generasjon lyskilder som vil erstatte tradisjonelle lyskilder som er i bruk. Basert på dagens ytelse til lys-dioder er det imidlertid fortsatt mange tekniske vanskeligheter å overvinne for å nå dette målet, og forskningsinnsatsen må økes innen materialanalyse og karakterisering, enhetsanalyseteknologi og andre aspekter. Optiske mikroskoper, skanningselektronmikroskoper, røntgenenergispektrometre, sekundære ionmassespektrometre og annet utstyr har blitt essensielle analyseverktøy for enhetsfeil og strukturell analyse, samt overvåking, forbedring og forbedring av epitaksiale prosesser i pakkestrukturen til lys-som sender ut strukturen til diodebrikker og grensesnitt, grensesnitt og diodesammensetning.
