Introduksjon til teknikken for å måle transistorer med et multimeter
Vanligvis må vi bruke R × 1K ω -området. Enten det er en NPN-transistor eller en PNP-transistor, enten det er en lav effekt, * * * -hastighet, høykrafttransistor, skal være krysset og CB-krysset utvise den samme ensrettede konduktiviteten som en diode, med uendelig omvendt motstand og en fremovermotstand på omtrent 10 000. For ytterligere å estimere kvaliteten på røregenskapene, er det nødvendig å endre motstandsnivået for flere målinger. Metoden er å stille inn R × 10 Ω -nivået og måle PN -krysset positiv ledende motstand, som er rundt 200 Ω; Still inn R × 1 Ω -området for å måle den fremre ledende motstanden til PN -krysset, som er rundt 30 Ω. (Ovennevnte data er hentet fra en meter på 47 type, og andre modeller har forskjellige avlesninger. Du kan prøve å teste flere gode rør og oppsummere dem til å ha en klar idé.) Hvis lesingen er for stor, kan det konkluderes med at rørets egenskaper ikke er bra. Du kan også plassere måleren på R × 10K Ω for testing. For rør med lavere motstandsspenning (i utgangspunktet er motstandsspenningen til en transistor over 30V), bør den omvendte motstanden til CB -krysset også være ∞, men den omvendte motstanden til dets veikryss kan være litt utenfor midten, og pekeren kan avvike litt (vanligvis ikke overstiger 1/3 av hele området, avhengig av tåpenspenningen til røret). Tilsvarende, når du måler motstanden mellom EC (for NPN -rør) eller CE (for PNP -rør) ved bruk av R × 10K ω -området, kan målernålen avlede litt, men dette betyr ikke at røret er skadet. Men når du måler motstanden mellom CE eller EC i området R × 1K ω eller under, skal måleren indikere uendelig, ellers er det et problem med røret. Det skal bemerkes at de ovennevnte målingene er for silisiumrør og ikke er anvendelige for germaniumrør. Germaniumrør er imidlertid også sjeldne nå. I tillegg refererer begrepet "omvendt" til PN -krysset, og retningen til NPN- og PNP -transistorer er faktisk annerledes.
